핵심 요약
반도체 열처리 공정인 어닐링 수요가 기존 실리콘 웨이퍼를 넘어 차세대 전력반도체 실리콘카바이드(SiC)와 400단 이상 고단 낸드로 확산되고 있다. 특히 SiC 웨이퍼 시장 1위 업체인 울프스피드가 레이저 어닐링 장비 도입을 추진하면서 국내 장비 협력사의 수혜 기대감이 커지고 있다.
이는 단순한 공정 추가가 아니라 차세대 반도체 미세화·고집적화 흐름과 맞물린 구조적 수요 확대라는 점에서 의미가 크다.
무슨 일인가
업계에 따르면 반도체 제조 과정에서 결정 손상을 회복하고 불순물을 활성화하는 어닐링 공정의 적용 범위가 빠르게 넓어지고 있다. 그동안 어닐링은 주로 실리콘 기반 웨이퍼 공정에 쓰였으나, 최근에는 전기차와 전력 인프라의 핵심 부품으로 부상한 SiC 전력반도체 영역으로 확산되는 추세다.
SiC 웨이퍼 시장 1위 업체인 울프스피드는 레이저 어닐링 장비 도입을 추진하며 국내 협력사와 구매주문(PO) 논의를 진행 중인 것으로 전해진다. SiC는 기존 실리콘보다 높은 온도와 전압을 견디지만 그만큼 정밀한 열처리 기술이 요구되는데, 레이저 어닐링은 국소 영역만 순간적으로 가열할 수 있어 차세대 소재에 적합하다는 평가를 받는다.
여기에 더해 400단 이상 고단 낸드와 첨단 시스템 반도체 영역에서도 어닐링 활용이 늘어날 전망이다. 적층 구조가 높아질수록 발생하는 열 스트레스와 결함을 정밀하게 제어해야 하기 때문이다.
배경과 맥락
SiC 전력반도체는 전기차 인버터, 충전 인프라, 신재생에너지 설비 등에서 수요가 급증하며 차세대 핵심 소재로 자리잡았다. 동시에 낸드플래시는 단수 경쟁이 200단을 넘어 400단을 향하면서 공정 난도가 기하급수적으로 높아지고 있다.
이처럼 소재와 구조가 모두 진화하는 국면에서 정밀 열처리 기술의 중요성이 부각되고 있다. 어닐링 공정 저변 확대는 곧 관련 장비와 부품을 공급하는 기업에 새로운 성장 기회로 연결될 수 있다.
