KERI, SiC 전력반도체 킬러 결함 정체 규명…수율·국산화 수혜 종목은

핵심 요약

한국전기연구원(KERI)이 차세대 전력반도체로 꼽히는 SiC(탄화규소) 소자의 제조 수율을 떨어뜨리는 핵심 불량, 이른바 킬러 결함의 발생 원인을 규명해 국제학술지에 실었다. 당장 매출로 이어지는 사건은 아니지만, SiC 양산의 가장 큰 병목이 수율이라는 점에서 국내 전력반도체 소재·소자 밸류체인에는 중장기 우호 재료다.

무슨 일인가

SiC 전력반도체는 기존 실리콘 소자보다 고전압과 고온에서 견디는 특성이 뛰어나 전기차 인버터, 충전 인프라, 태양광·에너지저장장치 전력변환부에서 채택이 빠르게 늘고 있다. 문제는 결정 성장과 소자 공정 단계에서 발생하는 미세 결함이 소자를 한순간에 불량으로 만들어버리는 킬러 결함으로 작용한다는 점이다. 이 결함은 수율을 끌어내려 원가를 높이는 구조적 약점으로 지목돼 왔다.

KERI는 이번 연구에서 그 킬러 결함이 왜, 어떤 경로로 생기는지를 규명하고 결과를 국제학술지에 게재했다. 발생 메커니즘이 밝혀지면 결함을 사전에 억제하거나 선별하는 공정 설계가 가능해져, 양산 수율을 끌어올릴 단초가 된다는 점에서 의미가 있다.

배경과 맥락

SiC 웨이퍼와 소자 시장은 글로벌 업체들이 선점한 영역으로, 국내 기업들은 후발주자로서 수율과 원가 경쟁력 확보가 최대 과제였다. 정부 출연연구기관이 핵심 불량의 원인을 학술적으로 규명했다는 것은, 국내 소재·소자 업체가 공정 노하우를 따라잡는 데 활용할 수 있는 기반 기술이 쌓인다는 신호로 읽힌다.

시장·종목에 미치는 영향

• DB하이텍: 전력반도체 파운드리를 운영해 SiC 등 차세대 전력소자 공정 확대 시 수율 개선 기술의 직접적 활용처가 될 수 있다.
• SK(주): 자회사 SK실트론이 SiC 웨이퍼 사업을 보유해, 킬러 결함 억제 기술 진전은 웨이퍼 품질·수율 경쟁력과 직결된다.
• 삼성전자: 전력반도체 라인업과 차량용 반도체 확장 측면에서 SiC 공정 기술 저변 확대의 간접 수혜가 가능하다.
• LX세미콘·RFHIC: 차량·전력·통신용 화합물 반도체 밸류체인에 속해 SiC 생태계 확대 흐름과 연동된다.

투자자 체크포인트

• 연구 성과가 실제 양산 수율 개선으로 이어지는지: 관련 기업의 SiC 라인 가동률·수율 언급을 분기 실적과 컨퍼런스콜에서 확인한다.
• 전기차·전력변환 수요 회복 속도: SiC 채택의 전방 수요인 전기차 판매와 충전 인프라 투자 지표를 점검한다.
• SiC 웨이퍼 증설·수주 공시 여부와 정부 전력반도체 지원 정책 일정.

전망

수율을 가로막던 핵심 불량의 원인이 규명되면 국내 전력반도체 소재·소자 업체의 원가 경쟁력 개선 여지가 생긴다는 점은 긍정적이다. 다만 학술적 규명에서 양산 적용까지는 검증과 설비 투자라는 시간이 필요하고, 글로벌 선두권과의 격차, 전기차 수요 둔화 가능성은 단기 기대만으로 주가를 끌고 가기 어렵게 하는 변수다. 테마성 기대와 실제 수율·실적 개선을 구분해 접근할 필요가 있다.

실시간 데이터로 본 DB하이텍

DB하이텍의 최근 종가는 156,100원(전일 대비 +1.04%)이며, 외국인·기관 수급과 뉴스·모멘텀을 종합한 신호등은 🟢 매수 우위다. 외국인·모멘텀이(가) 긍정적이라 관심을 가질 만합니다.

• ▲ 수급 연속성 — 외국인 4일 연속 순매수(+105억)

※ 시세·외국인/기관 수급 데이터는 한국투자증권(KIS) 제공이며, 발행 시점 기준입니다.

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